IRF6613TRPBF

IRF6613TRPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 540 руб.
Номенклатурный номер: 8024060998

Описание

The Infineon Strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 40 A
Maximum Drain Source Resistance 0.0035 O
Maximum Drain Source Voltage 40 V
Maximum Gate Threshold Voltage 20V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type DirectFET ISOMETRIC
Series StrongIRFET

Техническая документация

Datasheet IRF6613TRPBF
pdf, 235 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов