IRF6613TRPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
The Infineon Strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.0035 O |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | DirectFET ISOMETRIC |
Series | StrongIRFET |
Техническая документация
Datasheet IRF6613TRPBF
pdf, 235 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов