IRL3803STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 11 шт. —
130 руб.
от 21 шт. —
125 руб.
от 42 шт. —
119 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Id - непрерывный ток утечки | 140 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 3.8 W | |
| Qg - заряд затвора | 140 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 230 ns | |
| Время спада | 35 ns | |
| Высота | 2.3 mm | |
| Длина | 6.5 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 800 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns | |
| Торговая марка | Infineon / IR | |
| Упаковка / блок | TO-252-3 | |
| Ширина | 6.22 mm | |
| Base Product Number | IRL3803 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 140A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 4.5V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 71A, 10V | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | HEXFETВ® -> | |
| Supplier Device Package | D2PAK | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±16V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 140 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mO | |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | D2PAK(TO-263) | |
| Pin Count | 3 | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
