IRF6668TRPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 390 руб.
Описание
МОП-транзистор 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 55 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| Qg - заряд затвора | 22 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 13 ns |
| Время спада | 23 ns |
| Высота | 0.7 mm |
| Длина | 6.35 mm |
| Другие названия товара № | SP001551178 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | DirectFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 22 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4800 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 7.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | DirectFET-MZ |
| Ширина | 5.05 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.015 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DirectFET ISOMETRIC |
| Pin Count | 7 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet IRF6668TRPBF
pdf, 630 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
