2N4403TA, Транзистор: PNP; 40В; 0,6А; 625мВт; TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 100 шт. —
21 руб.
от 500 шт. —
17 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor General Purpose
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 4.7 mm |
Длина | 4.7 mm |
Другие названия товара № | 2N4403TA_NL |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | 2N4403 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Ammo Pack |
Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
Ширина | 3.93 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 600 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 625 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.27 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов