SIHA11N80E-GE3, Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
963 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
236 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 236 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Технические параметры
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | E Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 34Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.38Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 34 W |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 18 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | E |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
