SIHA11N80E-GE3, Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Фото 2/2 SIHA11N80E-GE3, Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Фото 1/2 SIHA11N80E-GE3, Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
963 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
236 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 236 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002331190
Артикул: SIHA11N80E-GE3
Производитель: Vishay

Описание

МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Технические параметры

Transistor Mounting Through Hole
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции E Series
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 12А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 34Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.38Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Id - непрерывный ток утечки 12 A
Pd - рассеивание мощности 34 W
Qg - заряд затвора 88 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 380 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 15 ns
Время спада 18 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 4.5 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 55 ns
Типичное время задержки при включении 18 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок TO-220-3

Дополнительная информация

Datasheet SIHA11N80E-GE3
Datasheet SIHA11N80E-GE3

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах