IRF840
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
172 руб.
от 50 шт. —
150 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 5,1А, 125Вт, TO220AB
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 8 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 850@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 63(Max)@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 63(Max) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
Typical Fall Time (ns) | 20 |
Typical Rise Time (ns) | 23 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 49 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-220AB |
Standard Package Name | TO-220 |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 9.01(Max) |
Package Length | 10.51(Max) |
Package Width | 4.65(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Вес, г | 2.68 |
Техническая документация
IRF840 datasheet
pdf, 170 КБ
IRF840PBF Datasheet
pdf, 898 КБ
Документация
pdf, 279 КБ
Datasheet IRF840
pdf, 148 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов