IRFZ44NLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 49А, 110Вт, TO262
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 3 шт. —
290 руб.
от 10 шт. —
248 руб.
от 50 шт. —
185.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO262 |
| Drain current | 49A |
| Drain-source voltage | 55V |
| Gate charge | 42nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 17.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 110W |
| Technology | HEXFET® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.574 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 157 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
