2SD882, Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 3А, 10Вт, SOT32
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
489 шт., срок 7 недель
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
130 руб.
от 50 шт. —
96 руб.
от 250 шт. —
79.75 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 3А, 10Вт, SOT32
Технические параметры
| Base Product Number | 2SD882 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100ВµA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Power - Max | 12.5W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-32 (TO-126) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 150mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.1 V |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | SOT-32-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 12.5 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | 2SD882 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 12.5 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-32 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1.263 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
