PDTC114TT
88 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
37 руб.
от 10 шт. —
19 руб.
от 100 шт. —
3.76 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 176 руб.
Описание
Электроэлемент
BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 10KOHM / OPEN, 3-SOT-23, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V, Continuous Collector Current Ic:100mA, Base Input Resistor R1:10kohm, Base-Emitter Resistor R2:-, Resistor Ratio, R1 / R2:- , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
| Family | Transistors-Bipolar(BJT)-Single, Pre-Biased |
| Manufacturer | NXP Semiconductors |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | SOT-23(TO-236AB) |
| Transistor Type | NPN-Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet PDTC114TU,115
pdf, 581 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
