HGT1S10N120BNST
1 100 руб.
от 2 шт. —
980 руб.
от 5 шт. —
890 руб.
от 7 шт. —
856.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 100 руб.
Описание
Электроэлемент
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.45V; Power Dissipation Pd:298W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 35(A) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | D2PAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 1.312 |
Техническая документация
Документация
pdf, 296 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
