HGT1S10N120BNST

Фото 2/2 HGT1S10N120BNST
Фото 1/2 HGT1S10N120BNST
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт. со склада г.Москва
520 руб.
от 2 шт.430 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 520 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002985092
Производитель: ON Semiconductor

Описание

The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.

• Short-circuit rating
• Avalanche rated
• 2.45V @ IC = 10A Low saturation voltage
• 140ns Fall time @ TJ = 150°C
• 298W Total power dissipation @ TC = 25°C

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 80 A
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 298 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 11.33мм
Высота 4.83мм
Число контактов 3
Размеры 10.67 x 11.33 x 4.83мм
Скорость переключения 1МГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N

Дополнительная информация

Datasheet HGT1S10N120BNST

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах