MJE210G

Фото 2/2 MJE210G
Фото 1/2 MJE210G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
48 шт. со склада г.Москва
200 руб.
от 2 шт.120 руб.
от 5 шт.66 руб.
от 10 шт.48 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002985295
Производитель: ON Semiconductor

Описание

The MJE210G is a PNP complementary silicon Power Transistor designed for low voltage, low-power and high-gain audio amplifier applications. The device offers high DC current gain and low collector to emitter saturation voltage.

• High current-gain-bandwidth product
• Annular construction for low leakage
• 40VDC Collector-emitter voltage
• 25VDC Collector-base voltage
• 8VDC Emitter-base voltage
• 5A Continuous collector current

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.8 V dc
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 10 МГц
Number of Elements per Chip 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2.5 V dc
Length 7.8мм
Максимальное напряжение коллектор-база 25 V dc
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 40 V dc
Package Type TO-225
Maximum Power Dissipation 15 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -65 °C
Width 3мм
Maximum DC Collector Current 10 (Peak) A, 5 (Continuous) A
Transistor Type PNP
Height 11.1мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 8 V dc
Размеры 7.8 x 3 x 11.1мм
Transistor Material Кремний
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 10
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,8 В пост. тока
Maximum Operating Temperature +150 °C
Максимальная рабочая частота 10 МГц
Количество элементов на ИС 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 2.5 V dc
Максимальное напряжение коллектор-база 25 В пост. тока
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 40 V dc
Тип корпуса TO-225
Максимальное рассеяние мощности 15 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Maximum DC Collector Current 10 (Peak) A, 5 (Continuous) A
Transistor Type PNP
Pin Count 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 8 V dc
Dimensions 7.8 x 3 x 11.1мм
Base Product Number MJE210 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 65MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Power - Max 15W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-225AA
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V

Дополнительная информация

Datasheet MJE210G
Datasheet MJE210G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах