MMBFJ310LG
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
82 руб.
от 10 шт. —
64 руб.
от 30 шт. —
50.28 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, JFET, N, 25V, SOT-23; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:24mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:60mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6.5V; Transistor Case S
Технические параметры
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Source Voltage (Max) | 25(V) |
| Drain-Source Volt (Max) | 25(V) |
| Forward Transconductance (Typ) | 0.018(MAX)(S) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 25(V) |
| Input Capacitance (Typ)@Vds | 5(MAX)@0V(pF) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | SOT-23 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Power Dissipation (Max) | 225(mW) |
| Rad Hardened | No |
| Reverse Capacitance (Typ) | 2.5(MAX)@0V(pF) |
| Screening Level | Military |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet MMBFJ310LT1G
pdf, 121 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
