MMBFJ310LG

Фото 2/2 MMBFJ310LG
Фото 1/2 MMBFJ310LG
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
83 шт. со склада г.Москва
180 руб.
от 2 шт.95 руб.
от 5 шт.46 руб.
от 10 шт.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.
Посмотреть альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8002985306
Производитель: ON Semiconductor

Описание

The MMBFJ310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.

• 25VDC Drain-source voltage
• 25VDC Gate-source voltage
• 10mA Gate current

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Длина 2.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Запирающий ток сток-исток Idss 24 → 60mA
Производитель ON Semiconductor
Тип корпуса SOT-23
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.3
Высота 0.94мм
Максимальное напряжение сток-исток 25 В
Число контактов 3
Размеры 2.9 x 1.3 x 0.94мм
Конфигурация Одинарный
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток +25 В

Дополнительная информация

Datasheet MMBFJ310LG

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах