TIP32BG

Фото 2/3 TIP32BGФото 3/3 TIP32BG
Фото 1/3 TIP32BG
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
245 шт. со склада г.Москва
200 руб.
от 2 шт.120 руб.
от 5 шт.68 руб.
от 10 шт.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002985775
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 3A 80V 40W PNP

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.2 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 1 МГц
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.53мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 80 V dc
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 80 V dc
Тип корпуса TO-220
Maximum Power Dissipation 40 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 4.83мм
Максимальный пост. ток коллектора 3 (Continuous) A, 5 (Peak) A
Тип транзистора PNP
Высота 15.75мм
Pin Count 3
Dimensions 10.53 x 4.83 x 15.75мм
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Transistor Material Кремний
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 10
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.2 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 1 МГц
Number of Elements per Chip 1
Length 10.53мм
Maximum Collector Base Voltage 80 В пост. тока
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 80 V dc
Тип корпуса TO-220
Maximum Power Dissipation 40 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 4.83мм
Максимальный пост. ток коллектора 3 (Continuous) A, 5 (Peak) A
Transistor Type PNP
Высота 15.75мм
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Dimensions 10.53 x 4.83 x 15.75мм
Transistor Material Кремний
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 10
Pd - рассеивание мощности 40 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.75 mm
Длина 10.53 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 3 MHz
Размер фабричной упаковки 50
Серия TIP32B
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.83 mm
Base Product Number TIP32 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 300ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 3MHz
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power - Max 2W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V

Дополнительная информация

Datasheet TIP32BG
Datasheet TIP32BG
Datasheet TIP32BG

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах