TIP32BG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
170 руб.
от 10 шт. —
145 руб.
от 50 шт. —
126.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 80V, TO-220-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:TIPxxx Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.53 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | TIP32B |
| Transistor Polarity | PNP |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Width | 4.83 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.75 mm |
| Длина | 10.53 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | TIP32B |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Вес, г | 2.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 230 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
