IXTQ36P15P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
3 480 руб.
от 2 шт. —
3 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 480 руб.
Описание
Электроэлемент
P-Channel 150 V 36 A 110 m? Through Hole PolarP Power Mosfet - TO-3P
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 15 ns |
| Height | 20.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -36 A |
| Length | 15.8 mm |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-3P-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110 mOhms |
| Rise Time | 31 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IXTQ36P15 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 21 ns |
| Unit Weight | 0.194007 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 4.9 mm |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
IXT_36P15P
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
