IXTQ52P10P

IXTQ52P10P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
3 630 руб.
от 2 шт.3 420 руб.
от 5 шт.3 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 630 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002985815
Бренд: Littelfuse

Описание

Электроэлемент
MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:52A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshol 03AH1769

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 52A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2845pF @ 25V
Manufacturer IXYS
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 500mA, 10V
Series PolarPв(ў
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250ВµA
Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.05Ом
Power Dissipation 300Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции PolarP Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 52А
Полярность Транзистора P Channel
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 300Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.05Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности -
Стиль Корпуса Транзистора TO-3P
Вес, г 8

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.