PDTA114EE
98 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
44 руб.
от 10 шт. —
27 руб.
от 100 шт. —
11.36 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 196 руб.
Описание
Электроэлемент
Nexperia PDTA114EE - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A, 50V, PNP
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | -0.15 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum Continuous Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -10 V |
| Minimum DC Current Gain | 30 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Type | PNP |
| Typical Input Resistor | 10 k |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| высота | 0.85mm |
| длина | 1.8mm |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 150 mW |
| размеры | 1.8x0.9x0.85mm |
| тип монтажа | Surface Mount |
| тип упаковки | SOT-416 |
| ширина | 0.9mm |
| Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
