FDPF5N60NZ

Фото 1/2 FDPF5N60NZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
590 руб.
от 2 шт.480 руб.
от 5 шт.407 руб.
от 10 шт.378 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 590 руб.
Номенклатурный номер: 8002986264

Описание

Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail - Bulk (Alt: FDPF5N60NZ)

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 4.5A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 33W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.25A, 10V
Series UniFET-IIв(ў
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 4.5 A
Maximum Drain Source Resistance 2 Ω
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Source Voltage -25 V, +25 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 33 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220F
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 10 nC @ 10 V
Width 4.7mm
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 339 КБ
Документация
pdf, 753 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов