FDPF5N60NZ

FDPF5N60NZ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
32 шт. со склада г.Москва
280 руб.
от 2 шт.200 руб.
от 5 шт.138 руб.
от 10 шт.116 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002986264
Производитель: ON Semiconductor

Описание

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 4,5 A
Тип корпуса TO-220F
Максимальное рассеяние мощности 33 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.7мм
Высота 15.87мм
Размеры 10.16 x 4.7 x 15.87мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.16мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 15 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 35 нс
Серия UniFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 10 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 450 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -25 В, +25 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Длина 10.16мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Максимальный непрерывный ток стока 4,5 A
Package Type TO-220F
Maximum Power Dissipation 33 Вт
Series UniFET
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Width 4.7мм
Height 15.87mm
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Maximum Drain Source Resistance 2 Ω
Maximum Drain Source Voltage 600 В
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 10 нКл при 10 В
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -25 В, +25 В
Base Product Number FDPF5 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.25A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series UniFET-IIв„ў ->
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA

Дополнительная информация

Datasheet FDPF5N60NZ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах