2N7000BU
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
77 руб.
от 10 шт. —
59 руб.
от 50 шт. —
43.85 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 0.2A, TO-226AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.9V; Power Dissipation Pd:400mW; Transistor Case Style:TO-226AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min | 0.1 S |
| Height | 5.33 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Length | 5.2 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-92-3 |
| Packaging | Bulk |
| Part # Aliases | 2N7000BU_NL |
| Pd - Power Dissipation | 400 mW |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
| Rise Time | 10 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Unit Weight | 0.006314 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 4.19 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.2 mm |
| Другие названия товара № | 2N7000BU_NL |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.1 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | 2N7000 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 4.19 mm |
| Вес, г | 0.179 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
