2N7000BU

2N7000BU
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
79 шт. со склада г.Москва
180 руб.
от 2 шт.95 руб.
от 5 шт.44 руб.
от 10 шт.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8002986275
Производитель: ON Semiconductor

Описание

N-Channel 60V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Технические параметры

Base Product Number 2N7000 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 200mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Техническая документация

2N7000
pdf, 107 КБ

Дополнительная информация

Datasheet 2N7000BU
Datasheet 2N7000BU

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах