BCV46

Фото 1/3 BCV46
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.52 руб.
от 10 шт.35 руб.
от 100 шт.19.03 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8002986506
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, 60V, 0.5A, SOT-23; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:2000hFE; Transistor Case Style:SOT-2

Технические параметры

Base-Emitter Saturation Voltage (Max) 1.5(V)
Collector Current (DC) 0.5(A)
Collector-Base Voltage 80(V)
Configuration Single
DC Current Gain 2000
Emitter-Base Voltage 10(V)
Maximum Collector Cut-off Current 0.1
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -65C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type SOT-23
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Polarity PNP
Power Dissipation 0.25(W)
Rad Hardened No
кол-во в упаковке 3000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage -1.5 V
Maximum Collector Base Voltage -80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -1 V
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum Continuous Collector Current -500 mA
Maximum Emitter Base Voltage -10 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 250 mW
Minimum DC Current Gain 2000
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Width 1.4mm
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet BCV46,215
pdf, 313 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов