BCX53-10
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
58 руб.
от 10 шт. —
39 руб.
от 100 шт. —
22.31 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Электроэлемент
BCX53-10115 TRANSISTOR, PNP, SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:145MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:63hFE; Transistor Case St
Технические параметры
Brand | Nexperia |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Configuration | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 63 at 150 mA at 2 V |
DC Current Gain hFE Max | 63 at 150 mA at 2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 4000 |
Gain Bandwidth Product fT | 145 MHz |
Height | 1.6 mm |
Length | 4.6 mm |
Manufacturer | Nexperia |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-89 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | /T3 BCX53-10 |
Pd - Power Dissipation | 1300 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | PNP |
Unit Weight | 0.004603 oz |
Width | 2.6 mm |
Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1829 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов