BD139-16S

Фото 2/2 BD139-16S
Фото 1/2 BD139-16S
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
147 шт. со склада г.Москва
220 руб.
от 2 шт.130 руб.
от 5 шт.66 руб.
от 10 шт.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги13
Номенклатурный номер: 8002986544
Производитель: ON Semiconductor

Описание

The BD13916S is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD138 PNP transistor.

• -55 to 150°C Operating temperature range

Технические параметры

Base Product Number BD139 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Power - Max 1.25W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-126-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V

Дополнительная информация

Datasheet BD139-16S
Datasheet BD139-16S

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах