TIP41AG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
117 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 60V, 6A, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:15hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 6 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz |
| Height | 9.28 mm(Max) |
| Length | 10.28 mm(Max) |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | TIP41 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Width | 4.82 mm(Max) |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | NPN |
| Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5@600mA@6A |
| Maximum DC Collector Current (A) | 6 |
| Minimum DC Current Gain | 30@300mA@4V|15@3A@4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 3(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Automotive | Yes |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 9.28(Max) |
| Package Length | 10.53(Max) |
| Package Width | 4.83(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 9.28 mm (Max) |
| Длина | 10.28 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | TIP41 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.82 mm (Max) |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| DC Current Gain hFE Min | 15hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 15hFE |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Вес, г | 2.041 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 127 КБ
Документация
pdf, 271 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
