2N7002F
94 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
40 руб.
от 10 шт. —
24 руб.
от 100 шт. —
8.31 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 188 руб.
Описание
Электроэлемент
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.475A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2? |
| Maximum Drain Source Voltage | 60V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30V |
| Minimum Operating Temperature | -65°C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 3 |
| Product Height | 1mm |
| Product Length | 3mm |
| Product Width | 1.4mm |
| Supplier Package | TO-236AB |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.69nC |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 31pF |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 830mW |
| монтаж (установка) | Surface Mount |
| разрешение | Power MOSFET |
| Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
