IRF9540NPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 220 шт.
от 433 шт. —
170 руб.
от 1225 шт. —
155 руб.
Добавить в корзину 220 шт.
на сумму 39 600 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -23А, 140Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | IRF9540 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 97nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 11A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 23A (Tc) |
| Pd - Power Dissipation | 140W (Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 117 mО© @ 11A, 10V |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250ВµA |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 117 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 97 nC @ 10 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Заряд затвора, нКл | 97 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 23 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 117 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-140 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4В |
| Описание | 100V, 23A P-Channel MOSFET |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Вес, кг | 11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF9540NPBF
pdf, 927 КБ
Datasheet IRF9540NPBF
pdf, 922 КБ
Datasheet IRF9540NPBF
pdf, 2554 КБ
IRF9540 datasheet
pdf, 172 КБ
IRF9540N
pdf, 125 КБ
Datasheet IRF9540NPBF
pdf, 2549 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
