Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › SPA11N80C3XKSA1, Trans MOSFET N-CH 800V 11A ...

SPA11N80C3XKSA1, Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

490 руб.

Мин. кол-во для заказа 76 шт.

от 143 шт. — 470 руб.

от 403 шт. — 448 руб.

Добавить в корзину 76 шт. на сумму 37 240 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003192608

Артикул: SPA11N80C3XKSA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор полевой SPA11N80C3XKSA1 от производителя INFINEON - это высоковольтный N-MOSFET, предназначенный для монтажа THT. С током стока 11 А и напряжением сток-исток 800 В, этот транзистор обеспечивает мощность до 34 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,45 Ом, что гарантирует эффективную проводимость и низкие потери мощности. Корпус PG-TO220-3-FP обеспечивает удобную установку на печатные платы и надежную работу в различных электронных устройствах. Используйте SPA11N80C3XKSA1 для уверенной работы ваших электронных проектов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	11
Напряжение сток-исток, В	800
Мощность, Вт	34
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.45
Корпус	PG-TO220-3-FP

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	11 A
Maximum Drain Source Resistance	450 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.9V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	41 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220 FP
Pin Count	3
Series	CoolMOS C3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	64 nC @ 10 V
Width	4.85mm
Вес, г	1