IRFP9140NPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

240 руб.

Мин. кол-во для заказа 160 шт.

от 315 шт. — 230 руб.

от 892 шт. — 213 руб.

Добавить в корзину 160 шт. на сумму 38 400 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003209472

Артикул: IRFP9140NPBF

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -21А, 120Вт, TO247AC Характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	23A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	97nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Bulk
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	140W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117mOhm @ 13A, 10V
Series	HEXFETВ®
Supplier Device Package	TO-247AC
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	23 A
Maximum Drain Source Resistance	117 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	140 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	97 nC @ 10 V
Width	5.3mm
Вес, кг	176