IRFP9140NPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Фото 2/5 IRFP9140NPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC TubeФото 3/5 IRFP9140NPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC TubeФото 4/5 IRFP9140NPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC TubeФото 5/5 IRFP9140NPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Фото 1/5 IRFP9140NPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003209472
Артикул: IRFP9140NPBF
Производитель: Infineon Technologies
79 руб.
2118 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 1321 шт. — 68.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 102 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
81 руб. 874 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 73 руб.
от 150 шт. — 71 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 23 А
Тип корпуса TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности 140 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.3мм
Высота 20.3мм
Размеры 15.9 x 5.3 x 20.3мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 15 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 51 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 117 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 97 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1300 pF @ 25 V
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 23 А
Тип корпуса TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности 140 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.3мм
Высота 20.3мм
Размеры 15.9 x 5.3 x 20.3мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 15 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 51 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 117 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 97 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1300 пФ при 25 В
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Техническая документация

IRFP9140n
pdf, 141 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP9140NPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.