IRL520NPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 400 шт.
от 738 шт. —
90 руб.
от 2089 шт. —
87 руб.
Добавить в корзину 400 шт.
на сумму 37 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В, 10А, 48Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Вес, кг | 11 |
Техническая документация
Datasheet IRL520NPBF
pdf, 308 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
