2SK3018T106, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 100 мА, 8 Ом, SOT-323, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21020 шт., срок 8-10 недель
38 руб.
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
30 руб.
Добавить в корзину 70 шт.
на сумму 2 660 руб.
Описание
N-канал 30 В 100 мА (Ta) 200 мВт (Ta) Поверхностный монтаж UMT3
Технические параметры
| Base Product Number | 2SK3018 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 80 ns |
| Forward Transconductance - Min | 20 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | 2SK3018 |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 Ohms |
| Rise Time | 35 ns |
| Series | 2SK3018 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2SK3018T106
pdf, 145 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
