L2N7002KLT1G, 60V 320mA 300mW 2.3-@10V,500mA 2.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs
16450 шт., срок 7 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
3.20 руб.
от 6000 шт. —
2.74 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 350 руб.
Описание
60V 320mA 300mW 2.3Ω@10V,500mA 2.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2Ω@10V, 300mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 25.5pF@30V |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.7nC@10V |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 320mA |
| Manufacturer | LRC |
| Package / Case | SOT-23(SOT-23-3) |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 300mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3Ω 500mA, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V 250uA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet L2N7002KLT1G
pdf, 778 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
