LMBT3904TT1G, 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 200MHz 300mV@50mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SC-89 Bipolar Transistors - BJT
29750 шт., срок 7 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
5 руб.
от 3000 шт. —
4.30 руб.
от 6000 шт. —
3.80 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA NPN SC-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 222 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
