SI7145DP-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 30В 60A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

210 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 65 шт. — 170 руб.

от 129 шт. — 157 руб.

от 257 шт. — 155 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 630 руб.

Номенклатурный номер: 8020145868

Артикул: SI7145DP-T1-GE3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой P-канальный 30В 60A

Корпус	PowerPAKВR SO-8
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	60A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	104W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance	2.6mО© @ 25A,10V
Transistor Polarity	P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.3V @ 250uA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	No Lead
Maximum Continuous Drain Current (A)	36.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	2.6@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	6250
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	8
Pin Count	8
PPAP	No
Process Technology	TrenchFET
Product Category	Power MOSFET
Supplier Package	PowerPAK SO EP
Typical Fall Time (ns)	27\|43
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	275
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	275@10V\|129@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	15660@15V
Typical Rise Time (ns)	110\|13
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	130\|107
Typical Turn-On Delay Time (ns)	27\|125
Вес, г	0.1