SI7145DP-T1-GE3

Фото 2/2 SI7145DP-T1-GE3
Фото 1/2 SI7145DP-T1-GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003566760
Производитель: Vishay
379 руб.
317 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 283 руб.
от 30 шт. — 265 руб.
от 100 шт. — 247 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
160 руб. По запросу 1 шт. 15 шт.
от 34 шт. — 127 руб.
от 141 шт. — 120 руб.
285 руб. 3-5 недель, 1237 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 244 руб.
от 25 шт. — 242 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

MOSFET, P-CH, -30V, -60A, POWERPAK SO
Корпус POWERPAKSO8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 60 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.6 мОм

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Configuration Single Quad Drain Triple Source
Process Technology TrenchFET
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 36.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 2.6@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 129@4.5V|275@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 275
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 15660@15V
Maximum Power Dissipation (mW) 6250
Typical Fall Time (ns) 27|43
Typical Rise Time (ns) 110|13
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 107|130
Typical Turn-On Delay Time (ns) 125|27
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 8
Supplier Package PowerPAK SO EP
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.07(Max)
Package Length 4.9
Package Width 5.89
PCB changed 8
Lead Shape No Lead

Дополнительная информация

Datasheet SI7145DP-T1-GE3

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.