NTJD4401NT1G, Dual N-Channel MOSFET, 910 mA, 20 V, 6-Pin SC-88 NTJD4401NT1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 руб.
Кратность заказа 100 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 2 500 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор N-МОП x2, полевой, 20В, 460мА, 270мВт, SC88
Технические параметры
Automotive Standard | AEC-Q101 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.1V |
Maximum Continuous Drain Current | 910 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 440 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 550 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SC-88 |
Pin Count | 6 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 1.3 nC @ 4.5 V |
Width | 1.35mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet NVJD4401NT1G
pdf, 67 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов