ZXTP2013GTA

ZXTP2013GTA
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003569534
Производитель: Diodes Incorporated
54 руб.
692 шт.,
срок 5-6 недель
от 10 шт. — 52 руб.
от 30 шт. — 51.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
81 руб. 3-5 недель, 17624 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 72.40 руб.
от 100 шт. — 59.20 руб.
150 руб. 3-4 недели, 1 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

General Purpose PNP Transistors, Over 1.5A, Diodes Inc

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,34 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 125 MHz
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,1 В
Длина 6.7мм
Максимальное напряжение коллектор-база 140 V
Transistor Configuration Одинарный
Производитель DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 100 В
Тип корпуса SOT-223
Максимальное рассеяние мощности 1.6 W
Тип монтажа Surface Mount
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора 5 A
Тип транзистора PNP
Высота 1.7мм
Число контактов 3 + Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база 7 В
Размеры 6.7 x 3.7 x 1.7мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 15

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.