STP75NF75
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003569678
Производитель: ST Microelectronics
|
78 руб.
|
4502 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели |
|
|
от 10 шт. —
58 руб.
от 30 шт. —
53.80 руб.
от 100 шт. —
50 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 110 руб. | 1546 шт. | 1 шт. | 1 шт. | |
|
от 15 шт. — 104 руб.
от 150 шт. — 102 руб.
|
||||
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 80 A |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.6мм |
| Высота | 9.15мм |
| Размеры | 10.4 x 4.6 x 9.15мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.4мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 25 ns |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Типичное время задержки выключения | 66 нс |
| Серия | STripFET II |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 11 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 75 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 117 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 3700 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Process Technology | STripFET II |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 75 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 11@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 117@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 117 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3700@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 |
| Typical Fall Time (ns) | 30 |
| Typical Rise Time (ns) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 66 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 9.15(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| Package Width | 4.6(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
Техническая документация
STP75NF75
pdf, 409 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
