STP75NF75

Фото 2/7 STP75NF75Фото 3/7 STP75NF75Фото 4/7 STP75NF75Фото 5/7 STP75NF75Фото 6/7 STP75NF75Фото 7/7 STP75NF75
Фото 1/7 STP75NF75
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003569678
Производитель: ST Microelectronics
78 руб.
4502 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 58 руб.
от 30 шт. — 53.80 руб.
от 100 шт. — 50 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 1546 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 104 руб.
от 150 шт. — 102 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 80 A
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 300 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.6мм
Высота 9.15мм
Размеры 10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 25 ns
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 66 нс
Серия STripFET II
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 11 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 75 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 117 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 3700 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.10.00.80
Product Category Power MOSFET
Process Technology STripFET II
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 75
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 80
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 11@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 117@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 117
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 3700@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 300000
Typical Fall Time (ns) 30
Typical Rise Time (ns) 100
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 66
Typical Turn-On Delay Time (ns) 25
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Packaging Tube
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-220
Standard Package Name TO-220
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 9.15(Max)
Package Length 10.4(Max)
Package Width 4.6(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole

Техническая документация

STP75NF75
pdf, 409 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STP75NF75
Datasheet STP75NF75

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.