MMBT3904LT1G

Фото 2/5 MMBT3904LT1GФото 3/5 MMBT3904LT1GФото 4/5 MMBT3904LT1GФото 5/5 MMBT3904LT1G
Фото 1/5 MMBT3904LT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003571222
Производитель: ON Semiconductor
1.80 руб.
37450 шт.,
срок 5-6 недель
от 500 шт. — 1.50 руб.
от 1500 шт. — 1.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 12796 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
0.70 руб. По запросу 1 шт. 3522 шт.
от 9000 шт. — 0.54 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги

Описание

Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 300 MHz
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер -0,95 В
Длина 2.9мм
Максимальное напряжение коллектор-база 60 В
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 40 V
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 300 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора 200 mA
Тип транзистора NPN
Высота 0.94мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Размеры 0.94 x 2.9 x 1.3мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 40

Техническая документация

MMBT3904LT1
pdf, 104 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MMBT3904LT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах