MMBT3904LT1G





* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003571222
Производитель: ON Semiconductor
1.80 руб.
|
37450 шт., срок 5-6 недель |
|
от 500 шт. —
1.50 руб.
от 1500 шт. —
1.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт. |
Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
---|---|---|---|---|
4 руб. | 12796 шт. | 1 шт. | 1 шт. | |
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
|
||||
0.70 руб. | По запросу | 1 шт. | 3522 шт. | |
от 9000 шт. — 0.54 руб.
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Есть аналоги
Описание
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor
Технические параметры
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальная рабочая частота | 300 MHz |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | -0,95 В |
Длина | 2.9мм |
Максимальное напряжение коллектор-база | 60 В |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | ON Semiconductor |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 V |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 1.3мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 200 mA |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 0.94мм |
Число контактов | 3 |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
Размеры | 0.94 x 2.9 x 1.3мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 |
Техническая документация
MMBT3904LT1
pdf, 104 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.