NJD2873T4G

Фото 2/2 NJD2873T4G
Фото 1/2 NJD2873T4G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003573723
Производитель: ON Semiconductor
66 руб.
59 руб.
6238 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 45 руб.
от 30 шт. — 42.20 руб.
от 100 шт. — 39.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
53 руб. 7 дней, 2830 шт. 10 шт. 10 шт.
87 руб. 2-4 недели, 2585 шт. 5 шт. 5 шт.
от 10 шт. — 69 руб.
от 100 шт. — 29 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@0.05A@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@0.05A@1A
Maximum DC Collector Current (A) 3
Minimum DC Current Gain 120@0.5A@2V|40@2A@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 1680
Maximum Transition Frequency (MHz) 65(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package DPAK
Standard Package Name TO-252
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 2.38(Max)
Package Length 6.73(Max)
Package Width 6.22(Max)
PCB changed 2
Tab Tab
Lead Shape Gull-wing
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,3 В пост. тока
Максимальная рабочая температура +175 °C
Maximum Operating Frequency 10 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В пост. тока
Максимальное напряжение коллектор-база 50 В пост. тока
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 50 В
Package Type DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 15 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Maximum DC Collector Current 2 А
Transistor Type NPN
Число контактов 3
Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.38мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0,3 В пост. тока
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Operating Frequency 10 МГц
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1,2 В пост. тока
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 50 В пост. тока
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 50 В
Package Type DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 15 Вт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Maximum DC Collector Current 2 А
Тип транзистора NPN
Число контактов 3
Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.38мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В

Дополнительная информация

Datasheet NJD2873T4G
Datasheet NJD2873T4G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.