MTN003N02Y3, 20V 560mA 150mW 400m-@4V,300mA 1.2V@1mA N Channel SOT-723 MOSFETs
7705 шт., срок 7 недель
28 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
18 руб.
от 150 шт. —
16 руб.
от 500 шт. —
14.12 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
20V 560mA 150mW 400mΩ@4V,300mA 1.2V@1mA N Channel SOT-723 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 560mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@4V, 300mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@1mA |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 560mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 150mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 400mО© @ 300mA,4V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V @ 1mA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet MTN003N02Y3
pdf, 405 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
