ZXTP25020DFHTA

Фото 1/4 ZXTP25020DFHTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
76 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.59 руб.
от 30 шт.50 руб.
от 100 шт.40.16 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 380 руб.
Номенклатурный номер: 8022875151
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 20V HIGH GAIN

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
PCB changed 3
Package Height 1.02(Max)
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Package Width 1.4(Max)
Package Length 3.04(Max)
Type PNP
Product Category Bipolar Power
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 25
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 20
Maximum Emitter Base Voltage (V) 7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.05@400mA@4A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.18@400mA@4A|0.24@40mA@2A|0.06@100mA@1A|0.21@10mA@1A
Maximum DC Collector Current (A) 4
Minimum DC Current Gain 300@10mA@2V|70@4A@2V|200@1A@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 1810
Maximum Transition Frequency (MHz) 290(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-23
Pin Count 3
Standard Package Name SOT-23
Military No
Pd - рассеивание мощности 1810 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 20 at - 10 A, - 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 900 at - 10 mA, - 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 25 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 60 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 4 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 290 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия ZXTP25020
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Brand Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO -25 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max -20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 60 mV
Continuous Collector Current -4 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 20 at-10 A, -2 V
DC Current Gain HFE Max 900 at-10 mA, -2 V
Emitter- Base Voltage VEBO -7 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 290 MHz
Manufacturer Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current -4 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Pd - Power Dissipation 1810 mW
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series ZXTP25020
Subcategory Transistors
Transistor Polarity PNP
Collector Emitter Voltage Max 20В
DC Current Gain hFE Min 70hFE
DC Усиление Тока hFE 70hFE
Power Dissipation 1.81Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Частота Перехода ft 290МГц

Техническая документация

Datasheet ZXTP25020DFHTA
pdf, 510 КБ
Datasheet ZXTP25020DFHTA
pdf, 503 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов