ZXTP25020DFHTA

Фото 2/3 ZXTP25020DFHTAФото 3/3 ZXTP25020DFHTA
Фото 1/3 ZXTP25020DFHTA
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5348 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
70 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.54 руб.
от 30 шт.50 руб.
от 100 шт.47.10 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 140 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003624810
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер -0.18 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 290 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,05 В
Длина 3.04мм
Максимальное напряжение коллектор-база -25 V
Transistor Configuration Одинарный
Производитель DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 20 V
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 1.81 W
Тип монтажа Surface Mount
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора 4 A
Тип транзистора PNP
Высота 1.02мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 7 В
Размеры 3.04 x 1.4 x 1.02мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 70
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
PCB changed 3
Package Height 1.02(Max)
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Package Width 1.4(Max)
Package Length 3.04(Max)
Type PNP
Product Category Bipolar Power
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 25
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 20
Maximum Emitter Base Voltage (V) 7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.05@400mA@4A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.18@400mA@4A|0.24@40mA@2A|0.06@100mA@1A|0.21@10mA@1A
Maximum DC Collector Current (A) 4
Minimum DC Current Gain 300@10mA@2V|70@4A@2V|200@1A@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 1810
Maximum Transition Frequency (MHz) 290(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-23
Pin Count 3
Standard Package Name SOT-23
Military No
Pd - рассеивание мощности 1810 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 20 at - 10 A, - 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 900 at - 10 mA, - 2 V
Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 25 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 60 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 4 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 290 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия ZXTP25020
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3

Техническая документация

Datasheet ZXTP25020DFHTA
pdf, 510 КБ
Datasheet ZXTP25020DFHTA
pdf, 503 КБ
Datasheet ZXTP25020DFHTA
pdf, 516 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах