BD243CG, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65W

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 20 шт. — 120 руб.

от 50 шт. — 104 руб.

от 100 шт. — 97 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 560 руб.

Номенклатурный номер: 8000579821

Артикул: BD243CG

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65W

Корпус	TO-220 Isolated Tab
Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	6 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	30
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	50
Gain Bandwidth Product fT	3 MHz
Height	9.28 mm(Max)
Length	10.28 mm(Max)
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	6 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	65 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	BD243C
Transistor Polarity	NPN
Unit Weight	0.211644 oz
Width	4.82 mm(Max)
Maximum Collector Base Voltage	100 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	1 MHz
Maximum Power Dissipation	65 W
Minimum DC Current Gain	20
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Case	TO220AB
Collector current	6A
Collector-emitter voltage	100V
Frequency	3MHz
Kind of package	tube
Mounting	THT
Polarisation	bipolar
Power dissipation	65W
Type of transistor	NPN
Вес, г	2.012