MJH11022G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

940 руб.

от 4 шт. — 840 руб.

от 7 шт. — 786 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 940 руб.

Номенклатурный номер: 8832955874

Артикул: MJH11022G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт

Корпус	TO-247
Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	250 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	250 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	15 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	100, 400
DC Current Gain hFE Max	15000
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	30
Height	12.2 mm
Length	15.2 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	15 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	150 W
Product Category	Darlington Transistors
RoHS	Details
Series	MJH11022
Transistor Polarity	NPN
Unit Weight	0.229281 oz
Width	4.9 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	3.8 V
Maximum Collector Base Voltage	250 V
Maximum Collector Cut-off Current	5mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Emitter Voltage	250 V
Maximum Continuous Collector Current	15 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Power Dissipation	150 W
Minimum DC Current Gain	100
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	8.5