DMN1150UFB-7B

Фото 2/2 DMN1150UFB-7B
Фото 1/2 DMN1150UFB-7B
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
78 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.61 руб.
от 100 шт.34 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 156 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004701668
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-CH МОП-транзистор 12V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 1.41 A
Pd - рассеивание мощности 500 mW
Qg - заряд затвора 1.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 150 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток 6 V, + 6 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 350 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 34.5 ns
Время спада 30 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 10000
Серия DMN1150
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 57 ns
Типичное время задержки при включении 4.1 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок X1-DFN1006-3
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 1.08mm
Transistor Configuration Single
Brand DiodesZetex
Maximum Continuous Drain Current 1.4 A
Package Type X1-DFN1006
Maximum Power Dissipation 500 mW
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 0.675mm
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Height 0.48mm
Maximum Drain Source Resistance 210 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 12 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -6 V, +6 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 1.41A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 500mW
Rds On - Drain-Source Resistance 150mО© @ 1A,4.5V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12V
Vgs - Gate-Source Voltage 1V @ 250uA
Вес, г 0.001

Техническая документация

Datasheet DMN1150UFB-7B
pdf, 258 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах