DMN1150UFB-7B, MOSFET N-CH MOSFET 12V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт. —
68 руб.
от 100 шт. —
31 руб.
от 1000 шт. —
20.23 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.41 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | X1-DFN1006-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Rise Time: | 34.5 ns |
| Series: | DMN1150 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 57 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 210 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +6 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | X1-DFN1006 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 0.675mm |
| Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
