2N7002W-G, MOSFET MOSFET N-CH 60V 0.25A
110 руб.
от 10 шт. —
76 руб.
от 100 шт. —
30 руб.
от 1000 шт. —
20.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Comchip Technology |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Manufacturer: | Comchip Technology |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 120 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
