IRFZ24SPBF, MOSFET 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch

IRFZ24SPBF, MOSFET 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
730 руб.
от 10 шт.570 руб.
от 100 шт.432 руб.
от 250 шт.383.56 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 730 руб.
Номенклатурный номер: 8005289121
Артикул: IRFZ24SPBF

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 4.83 mm
Длина 10.67 mm
Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 1000
Серия IRLZ
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.65 mm
Base Product Number IRFZ24 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-263 (DВІPak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 67

Техническая документация

Datasheet
pdf, 349 КБ
Datasheet IRFZ24SPBF
pdf, 394 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов