IRFZ24SPBF, MOSFET 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 руб.
от 10 шт. —
570 руб.
от 100 шт. —
432 руб.
от 250 шт. —
383.56 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 730 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 10.67 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRLZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.65 mm |
Base Product Number | IRFZ24 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-263 (DВІPak) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 67 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 349 КБ
Datasheet IRFZ24SPBF
pdf, 394 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов