IRF730ASPBF, MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA

Фото 1/3 IRF730ASPBF, MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
670 руб.
от 10 шт.510 руб.
от 100 шт.395 руб.
от 250 шт.341.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 670 руб.
Номенклатурный номер: 8005359561
Артикул: IRF730ASPBF

Описание

Описание Транзисторы и сборки MOSFET TO263

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 1Ом
Power Dissipation 74Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 400В
Непрерывный Ток Стока 5.5А
Пороговое Напряжение Vgs 4.5В
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1.438

Техническая документация

Datasheet IRF730ASPBF
pdf, 172 КБ
Datasheet IRF730ASPBF
pdf, 229 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов