IRF730ASPBF, MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 руб.
от 10 шт. —
510 руб.
от 100 шт. —
395 руб.
от 250 шт. —
341.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Описание
Описание Транзисторы и сборки MOSFET TO263
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1Ом |
Power Dissipation | 74Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 400В |
Непрерывный Ток Стока | 5.5А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet IRF730ASPBF
pdf, 172 КБ
Datasheet IRF730ASPBF
pdf, 229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов