BSS138-G, MOSFET FET 50V 3.5 OHM

BSS138-G, MOSFET FET 50V 3.5 OHM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
от 10 шт.120 руб.
от 100 шт.67 руб.
от 1000 шт.33.08 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.
Номенклатурный номер: 8005368728
Артикул: BSS138-G

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: onsemi
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 7 ns
Forward Transconductance - Min: 0.12 S
Id - Continuous Drain Current: 220 mA
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 1.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 3.5 Ohms
Rise Time: 9 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 20 ns
Typical Turn-On Delay Time: 2.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV
Вес, г 155

Техническая документация

Datasheet
pdf, 191 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов