AUIRF2804STRL, Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 270 A, 40 V, 3-Pin D2PAK AUIRF2804STRL

Фото 1/2 AUIRF2804STRL, Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 270 A, 40 V, 3-Pin D2PAK AUIRF2804STRL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
770 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Добавить в корзину 800 шт. на сумму 616 000 руб.
Номенклатурный номер: 8015542517
Артикул: AUIRF2804STRL

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon offers a wide range of 20V-40V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages to meet a range of needs and achieving RDS(on) down to 0.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 270 A
Maximum Drain Source Resistance 0.002 o
Maximum Drain Source Voltage 40 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type D2PAK(TO-263)
Pin Count 3
Series HEXFET
Transistor Material Si
Id - непрерывный ток утечки 44 A
Pd - рассеивание мощности 300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 120 ns
Время спада 130 ns
Высота 4.4 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № SP001521004
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 130 ns
Типичное время задержки при включении 13 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.25 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 750 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов