IRFB3206GPBF, MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC

IRFB3206GPBF, MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
870 руб.
от 10 шт.690 руб.
от 25 шт.486 руб.
от 100 шт.426.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 870 руб.
Номенклатурный номер: 8005401950
Артикул: IRFB3206GPBF

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 210 A
Pd - рассеивание мощности 300 W
Qg - заряд затвора 120 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № SP001565784
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IRFB3206GPBF
pdf, 295 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов