IRFP150NPBF

IRFP150NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
659 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
360 руб.
от 10 шт.330 руб.
от 25 шт.304 руб.
от 100 шт.259.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 360 руб.
Номенклатурный номер: 8005402031
Производитель: Infineon / IR

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 39 A
Pd - рассеивание мощности 140 W
Qg - заряд затвора 110 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 36 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 20.7 mm
Длина 15.87 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 400
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.31 mm
Вес, г 38

Дополнительная информация

Datasheet IRFP150NPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах