IRFZ44VZ

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

670 руб.

от 2 шт. — 550 руб.

от 5 шт. — 478 руб.

от 10 шт. — 442.50 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 670 руб.

Номенклатурный номер: 8003847237

Электроэлемент

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 40А, 92Вт, TO220AB Характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	57A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 25V
Manufacturer	Infineon Technologies
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	92W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 34A, 10V
Series	HEXFETВ®
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.012Ом
Power Dissipation	92Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	57А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	92Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.012Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Вес, г	1.97