IRFZ44VZSPBF, MOSFET MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
от 1000 шт. —
260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор полевой IRFZ44VZSPBF от производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный компонент в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Способен управлять током стока до 57 А и выдерживает напряжение сток-исток до 60 В, обеспечивая мощность до 92 Вт. Этот N-MOSFET идеален для широкого спектра применений, требующих надежного и эффективного управления электронными схемами. С IRFZ44VZSPBF ваши проекты получат надежный компонент с продолжительным сроком службы. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 57 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 92 |
| Корпус | D2PAK |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 57 A |
| Pd - рассеивание мощности | 92 W |
| Qg - заряд затвора | 43 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 62 ns |
| Время спада | 38 ns |
| Высота | 4.4 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | SP001557886 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.25 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 57 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 12@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 92000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 43 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 43@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1690@25V |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
